東芝推出1-Form-B光繼電器,以行業(yè)最高[1]導通額定電流實現(xiàn)更豐富的應用
中國上海,2021年5月11日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,推出“TLP4590A”,這是一種采用DIP6封裝的1-Form-B(常閉)光繼電器。該繼電器提供行業(yè)領先的[1]1.2A增強型導通額定電流和60V斷態(tài)輸出端額定電壓。今日開始批量出貨。
1.2A導通額定電流屬業(yè)界最高[1]電流,比東芝現(xiàn)有產(chǎn)品TLP4176A[2]的電流高140%。最大額定工作溫度為110℃,通過提供溫度裕度,有助于暖通空調(diào)(HVAC)、安全系統(tǒng)、樓宇自動化系統(tǒng)設備等大量使用1-Form-B繼電器的應用簡化設計。此外,TLP4590A還提供5000Vrms的隔離電壓(最小值),使之能用于要求高絕緣性能的設備。
[1] 根據(jù)東芝調(diào)研(截至2021年5月11日),適用于斷態(tài)輸出端額定電壓60V的光繼電器(1-Form-B)。
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發(fā)燒友早八點訊:北京時間4月13日早間消息,西部數(shù)據(jù)已對表示,如果東芝出售半導體業(yè)務,那么將違反兩家公司之間的合同。西部數(shù)據(jù)和東芝是存儲芯片業(yè)務的合作伙伴。 消息人士表示,西部數(shù)據(jù)CEO史蒂夫·米利根(Steve lligan)4月9日致信東芝董事會稱,東芝應當首先與西部數(shù)據(jù)進行排他性談判。他認為,傳聞中可能收購東芝半導體業(yè)務的收購方并不合適,而傳聞的收購報價高于該業(yè)務的合理價值。 西部數(shù)據(jù)的表態(tài)可能會導致東芝很難為芯片業(yè)務找到買家。東芝目前急需現(xiàn)金,以解決核能業(yè)務西屋電氣造成的虧損。東芝已表示,如果出售半導體業(yè)務失敗,那么可能會威脅到該公司的生存能力。 東芝高管表示,該公司并不贊同西部數(shù)據(jù)的看法,即出售半導體業(yè)
東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)宣布,推出新型eFuse IC“TCKE712BNL”,進一步豐富了eFuse IC產(chǎn)品線。該產(chǎn)品可重復使用,具有保護電源線電路的功能。 玻璃管熔斷器和貼片熔斷器等傳統(tǒng)物理熔斷器在過流狀態(tài)下物理切斷電源線,以起到保護電源線的作用,但一旦熔斷就必須更換。eFuse IC旨在替代此類熔斷器,為電源線提供保護和安全性,同時在高度精確的過流保護之外,提供一系列內(nèi)置的保護功能。 TCKE712BNL采用過壓保護功能保護電源線,該功能可根據(jù)用戶要求通過外部電阻器進行調(diào)整。同時,它內(nèi)置關斷狀態(tài)下的反向阻斷電流功能,可用于電源多路復用器應用。此外,
發(fā)布可重復使用電子熔斷器eFuse IC,檢測更容易 /
致力于亞太地區(qū)市場的領先半導體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布,其旗下詮鼎推出基于東芝(TOSHIBA)的車載以太網(wǎng)橋接解決方案。 隨著車輛通信網(wǎng)絡逐年復雜化,需要進行網(wǎng)絡優(yōu)化,對于IVI和ADAS,高速和低延遲數(shù)據(jù)傳輸是為了實現(xiàn)處理器提供高分辨率傳感器圖像數(shù)據(jù)和遠程信息處理通信數(shù)據(jù)的關鍵點,TOSHIBA開發(fā)出了對應于以太網(wǎng)路AVB標準的一個新的橋接芯片,這將有助于車載通信網(wǎng)絡的建設符合市場需求。 大聯(lián)大詮鼎代理的TOSHIBA TC9560 Neutrino是一顆功能強大的AVB bridge,可以在processor SoC及network devices間高速地傳輸交換資料,內(nèi)含一顆Cortex-M3 proces
的車載以太網(wǎng)橋接解決方案 /
東芝 開始測試新的 無線充電 系統(tǒng),早稻田大學教授Yushi Kamiya也參與了測試,他們開發(fā)了一款原型電動巴士,安裝東芝SCiB鋰電池。這是東芝第一次在高速公路上測試電動巴士。巴士單向行駛11公里,然后停運15分鐘,充電之后再次出發(fā)。巴士電池容量約為52.9千瓦,充電一次可以開89公里。 電動巴士安排了45個座位,裝備高輸出東芝SCiB鋰電池,全日空在川崎殿町和東京羽田機場建有運營設施,巴士會在兩地之間行駛。整個里程長約11公里,東芝可以在不同的路況環(huán)境中測試巴士。 系統(tǒng)采用的無觸點充電器是東芝與早稻田大學自然科學和工程學院教授Yushi Kamiya合作開發(fā)的。系統(tǒng)操作簡單,當司機按下儀表板
東芝公司(Toshiba Co., 6502.TO)董事會部分成員正在做最后的努力,力促公司接受富士康科技集團(Foxconn Technology Group)對其存儲芯片業(yè)務的收購提議,頂住來自日本政府的壓力。日本政府希望東芝把存儲芯片業(yè)務出售給不太有中國背景的競標方。 據(jù)直接參與商討的知情人士稱,富士康科技集團(又名:鴻??萍技瘓F)對東芝閃存業(yè)務提出的報價超過2萬億日圓(合184億美元)。他們稱,這一報價略高于其他兩個競標方,一個是美國西部數(shù)據(jù)股份有限公司(Western Digital Corporation, WDC)牽頭的財團,另一個是包括私募股權投資公司貝恩資本(Bain Capital)在內(nèi)的財團。 知情人士稱,富
東芝公司為逆變器和儲能系統(tǒng)開發(fā)了2200 V碳化硅(SiC)金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET),以幫助逆變器制造商減小其產(chǎn)品的尺寸及重量。 圖片:Toshiba 日本電子制造商東芝公司推出了一種基于碳化硅(SiC)的新型金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET),主要應用于太陽能逆變器和電池存儲系統(tǒng)。 該公司表示,新的MOSFET可能有助于逆變器制造商減小其產(chǎn)品的尺寸及重量。 該公司還提到:“高頻運行可以減少其他系統(tǒng)組件的體積和重量,如散熱器和過濾器等?!?新產(chǎn)品包含一個2200 V肖特基勢壘二極管(SBD),主要應用于1500 V(直流電)兩電平逆變器。據(jù)制造商介紹,兩電平設備相比三電平逆變器,具有更少的開關模塊,
Digitimes報道,日本東芝公司近日通知客戶稱將于五六月份暫時終止NAND閃存芯片產(chǎn)品的供貨。東芝指日本大地震導致晶圓片及其它制作閃存芯片用的原材料缺乏是導致東芝暫停供貨的主要原因,并沒有對外澄清這次停供芯片是否是由于本公司的生產(chǎn)設施遭受地震破壞所致。 其實這次日本大地震發(fā)生之前就已經(jīng)出現(xiàn)了NAND閃存芯片短缺的現(xiàn)象,三月底,JP Morgan公司的分析師還曾預測稱NAND閃存芯片的供貨量到今年五六月份間會下滑30%左右。這位分析師當時表示:“據(jù)我們估計,日本NAND閃存芯片的供貨量在這兩個月內(nèi)會縮減30%左右的幅度。需要注意的是,其實早在地震之前,由于來自智能手機和平板電腦方面的供貨需求非常強勢,NAND
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